GaN-пластины для силовой электроники: Infineon наращивает производство, а TSMC сворачивает

В прошлом году Infineon объявила о запуске первой пилотной линии по выпуску силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN). Производя чипы на подложках диаметром 300 мм, компания рассчитывает совместить технические преимущества GaN с экономическими выгодами крупноформатных пластин. Такие полупроводники находят применение в самых разных устройствах — от электромобилей и сетевых адаптеров до солнечных инверторов и других систем с высокой потребностью в эффективном питании. Позавчера Infineon заявила , что уже в четвёртом квартале 2025 года начнёт поставки первых образцов клиентам. По словам компании, она уверенно движется к статусу IDM-производителя (Integrated Device Manufacturer) в этом сегменте. Сегодня Infineon опирается на три ключевые технологии: кремний, нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC). Переход на 300-миллиметровые подложки даёт Infineon возможность выпускать примерно в 2,7 раза больше чипов с одной пластины — это значительно увеличивает производственную эффективность. По ......

04:17, 07.07.2025

Рубрика: «Наука и Технологии» Поделиться:

Первое высокотехнологичное производство силовой электроники мирового уровня будет создано при поддержке ВЭБ.РФ ВЭБ.РФ открыл финансирование ПАО «Элемент» для создания серийного производства компонентов ...

Сделано на Микроне: три транзистора Trench MOSFET для силовой электроники сертифицированы МТПП Сделано на «Микроне»: три транзистора Trench MOSFET для силовой электроники сертифицированы МТПП Линейка изделий для систем управления Trench MOSFET «Микрона», российского производителя м ...

Производство чипов: Huawei наращивает собственное производство в Шэньчжэне Huawei активно развивает полупроводниковое производство в Шэньчжэне, стремясь снизить техн ...

Infineon переводит производство силовых полупроводников на 300-мм пластины Каждый человек сталкивается с повседневной жизни с кремниевыми чипами, но о силовых полупр ...