Infineon переводит производство силовых полупроводников на 300-мм пластины

Каждый человек сталкивается с повседневной жизни с кремниевыми чипами, но о силовых полупроводниках знают намного меньше. Но они тоже встречаются повсеместно, будь то электромобили, различные источники питания, солнечные инверторы и многое другое. Силовые полупроводники изготавливают из карбида кремния (SiC) или нитрида галлия (GaN), поэтому компании-производители компонентов фокусируются на этих двух направлениях развития. Существует параллель между кремниевым и SiC/GaN миром с точки зрения производства: чем больше пластина, из которой вырезают компоненты, тем эффективнее производство. Компания Infineon объявила о запуске пилотной линии на своем заводе Power Fab в Виллахе (Австрия), где используют пластины GaN диаметром 300 мм. Пластина диаметром 300 мм имеет площадь поверхности в 2,25 раза больше. Это означает, что за один технологический цикл можно обработать в 2,25 раза больше площади чипов, и даже доля выхода годных кристаллов будет выше. При ......

16:17, 13.09.2024

Рубрика: «Наука и Технологии» Поделиться:

GaN-пластины для силовой электроники: Infineon наращивает производство, а TSMC сворачивает В прошлом году Infineon объявила о запуске первой пилотной линии по выпуску силовых полупр ...

Крупнейший российский производитель микроэлектроники вкладывает 4,4 миллиарда в производство силовых транзисторов ГК «Элемент» вложит 4,4 млрд руб. в выпуск силовых транзисторов на нитриде галлия на своем ...

Благодаря ИИ мировое производство полупроводников показало уверенный рост в четвёртом квартале 2024 года Отраслевая организация SEMI представила отчёт аналитических агентств Semiconductor Manufac ...

Infineon анонсировала блоки питания на 12 000 Вт Центры обработки данных, предназначенные для обучения и работы алгоритмов искусственного и ...