Новые сверхтонкие сегнетоэлектрические конденсаторы открывают перспективы для создания компактных запоминающих устройств
Сверхтонкий сегнетоэлектрический конденсатор, разработанный японскими исследователями, демонстрирует сильную электрическую поляризацию, несмотря на толщину всего 30 нм, включая верхний и нижний электроды, что делает его пригодным для использования в электронике высокой плотности. Используя пленку нитрида алюминия, легированного скандием, в качестве сегнетоэлектрического слоя, команда добилась высокой остаточной поляризации даже при уменьшенной толщине. Этот прорыв демонстрирует хорошую совместимость с полупроводниковыми устройствами, объединяющими логические схемы и память, открывая путь к созданию компактной и эффективной памяти на кристалле для будущих технологий. Современная электронная технология стремительно движется в направлении миниатюризации, создавая всё более компактные и при этом высокопроизводительные устройства. По мере уменьшения размеров устройств растёт спрос на сверхмалые запоминающие материалы, способные эффективно хранить данные даже в самых маленьких размерах. Ферроэлектрические запоминающие устройства являются перспективным вариантом для будущей мобильной и компактной электроники, поскольку они хранят информацию с помощью переключаемой электрической поляризации, что позволяет сохранять данные даже без питания. Однако лишь немногие инициативы сообщают о прогрессе в уменьшении размеров этих ферроэлектрических устройств. Для преодоления этого разрыва исследовательская группа под руководством профессора Хироши Фунакубо из Школы материалов и химических технол...