Многослойная DRAM: Intel и SoftBank разрабатывают альтернативу HBM

Intel, SoftBank и Токийский университет планируют запустить стартап под названием Saimemory, который займется разработкой нового типа многослойной оперативной памяти DRAM. Об этом сообщает Nikkei Asia со ссылкой на собственные источники. Первые прототипы ожидаются в 2027 году, а запуск в коммерческое производство намечен на 2030-й. Пока неясно, как именно будет устроена новая память. Но её позиционируют как альтернативу HBM — памяти с высокой пропускной способностью. HBM представляет собой стек из нескольких кристаллов DRAM, соединённых вертикально через TSV (сквозные кремниевые переходы). Память подключается к вычислительному чипу через интерпозер с широким интерфейсом — сейчас это 1024 бита на стек. Такое подключение обеспечивает высокую скорость передачи данных и энергоэффективность за счёт коротких сигнальных путей. По всей видимости, участники проекта хотят предложить альтернативу текущей монополии — HBM сегодня производят только три компании: SK Hynix, ......

12:17, 08.06.2025

Рубрика: «Наука и Технологии» Поделиться:

Ещё один сильный удар по Intel. SoftBank отказывается от совместного проекта с процессорным гигантом и выбирает TSMC Ещё один удар по Intel, похоже, нанесёт компания SoftBank. Как сообщается, она может отмен ...

Китайцы выпустит собственную альтернативу процессорам Intel Core 13-го поколения и RTX 2080 (3 фото) Компания Loongson в рамках конференции Industrial Ecosystem раскрыла свежие подробности о ...

Lenovo выпустила альтернативу Apple Mac Studio — компактный десктоп ThinkCentre neo Ultra на Intel и Nvidia Lenovo выпустила в продажу свой ответ Apple Mac Studio — компьютер ThinkCentre neo U ...

Foundry Direct Connect: Intel рассказала о техпроцессе Intel 14A и высокопроизводительном варианте Intel 18A-P На конференции Direct Connect компания Intel анонсировала новые инициативы в рамках контра ...