Процесс изготовления флэш-памяти 3D NAND ускорили плазменными технологиями

Исследователи нашли способ ускорить процесс изготовления флэш-памяти 3D NAND, которая хранит данные более плотно за счет укладки ячеек памяти. Ключ — новый метод с использованием плазмы из фтористого водорода, который позволяет вытравливать глубокие узкие отверстия, необходимые для такой памяти, в два раза быстрее. Флэш-память 3D NAND используется в таких устройствах, как камеры, телефоны и компьютеры. Она сохраняет данные в ячейках, которые либо включены, либо выключены, а чтобы вместить больше данных в то же пространство, эти ячейки укладываются друг на друга. Отверстия, которые вырезаются в материале, очень важны для того, чтобы сделать это укладывание возможным. Используя фтористый водород в плазме, исследователи смогли значительно увеличить скорость процесса травления (более чем в два раза)...

12:17, 31.01.2025

Рубрика: «Наука и Технологии» Поделиться:

BiCS9 3D NAND: останется ли NAND лучшей, даже без гонки слоев? На Investors Day 2025 компания SanDisk представила не только High Bandwidth Flash (HBF) — ...

SSD Samsung 990 EVO Plus новые накопители с памятью V8 NAND SSD Samsung 990 EVO Plus – новые накопители с памятью V8 NAND Samsung расширяет ассортимент твердотельных накопителей новой серией 990 EVO Plus. SSD раб ...

Samsung работает над 1000-слойной памятью NAND Специалисты отмечают, что изначально планы компании Samsung Electronics выпустить петабайт ...

Samsung начинает массовое производство микросхем QLC V-NAND на 1 ТБ Samsung является крупным производителем микросхем хранения данных, и сегодня компания объя ...