Финны научат производителей 3D NAND выпускать чипы рекордной плотности

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа.. Источник изображения: Linköping University...

08:17, 31.01.2025

Источник: 3dnews.ru

Рубрика: «Hardware» Поделиться:

У производителей памяти не вышло создать 3D DRAM по аналогии с 3D NAND, но скоро это изменится Отрасль компонентов памяти отличается консервативным подходом: революционным изменениям пр ...

SK Hynix сообщает о рекордной прибыли благодаря росту спроса на чипы для ИИ Южнокорейская компания SK Hynix Inc. объявила о рекордной квартальной прибыли и выручке на ...

Samsung будет выпускать для AMD передовые 3-нм чипы с GAA-транзисторами Компания Samsung объявила о расширении стратегического партнерства с американской компание ...

BiCS9 3D NAND: останется ли NAND лучшей, даже без гонки слоев? На Investors Day 2025 компания SanDisk представила не только High Bandwidth Flash (HBF) — ...