Ученые создали сверхпрочные диоды на основе алмаза и оксида галлия
Команда исследователей из Китая разработала высокопроизводительные диоды на основе сверхширокозонных полупроводников, которые могут выдерживать напряжение свыше 3 кВ. Это достижение открывает новые возможности для создания высокомощной электроники. Сверхширокозонные полупроводники, такие как алмаз и оксид галлия, обладают уникальными свойствами, которые делают их идеальными для высокомощных применений. Они имеют широкую запрещённую зону, высокое пробивное поле, радиационную стойкость и высокую подвижность носителей заряда. Однако создание биполярных устройств на основе этих материалов является сложной задачей. Источник: DALL-E Чтобы преодолеть этот барьер, исследователи предложили новый подход — гетеропереходный метод. Этот метод предполагает объединение p-типа алмаза с n-типом оксида галлия для создания мощных pn-диодов. Учёные вырастили гетероэпитаксиальный n-тип оксида галлия на p-типе алмазной подложке, используя специальную методику координации доменов и ограничения пути кристаллизации. Это позволило создать гетеропереходный интерфейс между оксидом галлия и алмазом, который является атомно-острым и не имеет наблюдаемой диффузии интерфейсных элементов. Результатом этого стало создание диодов с исключительными характеристиками. Они имеют коэффициент включения/выключения, превышающий 108, и могут выдерживать напряжение свыше 3 кВ, даже без специальной обработки краёв. Источник: Nano Letters (2024). DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c05446 Кроме того, исследователи обн...
Ученые на основе ИИ создали систему поиска по древнерусским рукописям Специалисты из НИЯУ МИФИ и Института русского языка им. В.В. Виноградова разработали прогр ...
CHASPIK.SPB.RU