321-слойная NAND: SK hynix начинает массовое производство

Южнокорейская компания Sk hynix, специализирующаяся на производстве памяти, объявила о запуске массового производства первой NAND-памяти с 321 слоем. Емкость отдельных чипов NAND достигла 1 Тбайта. 321-слойная память продолжает прошлогоднюю разработку, в которой Sk hynix стала первым производителем, предложившим чипы NAND с 238 слоями. Ожидается, что продукты с новой NAND-памятью выйдут на рынок в первой половине 2025 года. Sk hynix отмечает простоту адаптации новой памяти с 321 слоем, так как многие технологические этапы предыдущей версии с 238 слоями остаются неизменными. В том числе применяется технология «3 plugs», создающая вертикальные отверстия в слоях подложки для одновременного производства нескольких ячеек. Этот шаг повышает скорость производства NAND с таким количеством слоев на 59%.{nozuna nzimagefromgallery}c523d1ef-a809-11ef-9766-000c2932240f 0{/nozuna nzimagefromgallery} NAND-память с 321 слоем обеспечивает на 13% более высокую скорость чтения и на 12% более высокую скорость записи. ......

20:17, 29.11.2024

Рубрика: «Наука и Технологии» Поделиться:

Samsung начинает массовое производство микросхем QLC V-NAND на 1 ТБ Samsung является крупным производителем микросхем хранения данных, и сегодня компания объя ...

Samsung отложила массовое производство V9 QLC NAND-памяти Samsung столкнулась с проблемами при разработке своего девятого поколения NAND-памяти — V9 ...

SK hynix показала чипы памяти GDDR7 на выставке Computex, но массовое производство начнёт только в 2025 году Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GD ...

Китайская YMTC запустила массовый выпуск 267-слойной 3D NAND — отставание от Samsung и SK hynix сокращается Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность соверш ...