Die-to-Wafer Hybridbonding: imec добился расстояния между контактами всего в 2 мкм
Все известные производители полупроводников работают над созданием новых мощностей корпусировки, поскольку помимо все меньших размеров структур и новых техпроцессов при производстве кристаллов, акцент все больше смещается в сторону сложной корпусировки. Кроме того, многочиповые конструкции требуют все более быстрых межсоединений и быстрой HBM. TSMC, Samsung, IBM и Intel работают над новыми технологиями 2,5D- и 3D-корпусировки. Эти компании часто опираются на исследования imec (Interuniversity Microelectronics Centre). На прошлой неделе imec представил гибридное соединение подложки с кристаллом Die-to-Wafer Hybridbonding и интерконнект Cu. По сути, технология похожа на 3D V-Cache от AMD , где используются наработки TSMC, или Foveros от Intel. В настоящее время решение Intel позволяет достичь расстояния между контактами при склеивании 25 мкм, но с помощью Foveros Direct планируется уменьшить расстояние до 10 мкм . Технология TSMC также составляет 10 мкм, возможно, чуть меньше. Гибридное соединение «кристалл - подложка» Die-to-Wafer Hybridbonding, представленное ......
CHASPIK.SPB.RU